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ibis模型详解(IBIS的模型结构与文件结构)

ibis模型详解(IBIS的模型结构与文件结构)

刚接触SI仿真时,只进行了简单的流程操作,对涉及的原理和模型知之甚少。然后慢慢接触到了更深层次的东西,开始搭建自己的电路去了解IBIS。电路仿真的模型有很多,IBIS可能是最常用、最方便的一种。一般这个东西都是芯片厂商提供的,它的一些原理是一个很复杂的东西。让让我们简单梳理一下IBIS中的结构:

IBIS简介

1.ibis(输入/输出缓冲区信息规范):输入/输出缓冲区是一个行为模型,描述电压与电流、电压与时间的关系。也是基于V/I曲线的输入/输出端口快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性的国际标准。

2.IBIS本身只是一种文件格式,解释了如何在一个标准的IBIS文件中记录一个芯片的驱动器和接收器的不同参数,但没有解释如何使用这些记录的参数,这些参数需要使用IBIS模型的仿真工具读取。

两个IBIS模型结构

IBIS的模型结构分为输入和输出,如下图所示:

1.输出结构:包括一个PMOS,一个NMOS,两个ESD保护二极管,芯片的电容和封装的寄生参数。

C_PKGR_PKGL_PKG是整个芯片的等效电容、电阻和电感特性。

C_Comp是硅片上引脚的焊盘电容(结电容)。

2.输入结构:包括两个ESD保护二极管、芯片的电容和封装的寄生参数。

C_PKGR_PKGL_PKG是整个芯片的等效电容、电阻和电感特性。

C_Comp是硅片上引脚的焊盘电容(结电容)。

IBIS文件结构

1.头文件

这部分包含了IBIS的版本、文件名、版权等信息,如下图:是从ST官网下载的STM的IBIS模型的头文件:

2.设备描述

包含设备型号名称、设备名称、制造商、封装和引脚等信息,如下图所示:

3.模型描述

该部门定义了型号对应的缓冲类型、下拉、上拉、Power_Clamp、Gnd_Clamp的IlV数据表;斜坡数据;描述波形上升/下降沿等的VIT数据表。如下图所示:

IBIS在信号完整性中的应用

IBIS在信号完整性仿真中起着不可或缺的作用。它可以用作信号源和接收器。可以被大量EDA软件识别,有些仿真软件没有IBIS模型,所以可以不能在时域中模拟。在IBIS模型的基础上,我们可以分析传输线上的信号完整性问题,包括阻抗、串扰、反射、时延等从源到负载的时域问题。

IBIS模型将每一个I/O或引脚分为几种状态(输入、输出、悬空),将这些状态配置成几种模型,通过调用I/O或引脚的几种模型来模拟输入输出。

审计唐子红

标签:模型IBIS芯片


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