NVIDIA刚刚确认了其下一代RubinGPU架构，同时宣布推出Rubin和BlackwellGPU以及最新的VeraCPU。
NVIDIARubinGPU架构现已正式发布：Blackwell和Rubin将推出配备超强内存和规格的“超级”版本
令人意外的是，NVIDIA首席执行官黄仁勋透露了他们的下一代GPU架构，代号为Rubin，以美国天文学家VeraRubin的名字命名，她对宇宙暗物质的理解做出了重大贡献，同时也是星系自转速率方面的开创性研究。尽管NVIDIA刚刚发布了其Blackwell平台，但看起来NVIDIA正在加速其路线图，正如我们最近报道的那样，每年都会推出一款新的GPU产品。
但是我们先从Blackwell开始，虽然BlackwellGPU的第一代(B100/B200)将于今年晚些时候进入数据中心，但NVIDIA还计划发布一个增强版，该版本将具有8个站点的12Hi内存堆栈，而现有产品则具有8个站点的8Hi内存堆栈。该预计将于2025年推出。
紧接着，在Blackwell发布后不久，NVIDIA将发布其下一代RubinGPU。NVIDIARubinR100GPU将成为R系列产品线的一部分，预计将于2025年第四季度量产，而DGX和HGX解决方案等系统预计将于2026年上半年量产。据NVIDIA称，RubinGPU和相应平台将于2026年上市，随后于2027年推出Ultra版本。NVIDIA还确认RubinGPU将使用HBM4内存。
预计NVIDIA的RubinR100GPU将采用4倍光罩设计(而Blackwell为3.3倍)，并将在N3工艺节点上使用台积电CoWoS-L封装技术制造。台积电最近制定了到2026年将光罩尺寸提升至5.5倍的计划，该将采用100x100毫米的基板，最多可容纳12个HBM位置，而目前的80x80毫米封装上只有8个HBM位置。
该半导体公司还计划采用新的SoIC设计，该设计将在120x120mm封装配置中实现超过8倍的标线尺寸。这些仍在规划中，因此我们可以更现实地预期RubinGPU的标线尺寸介于4倍之间。
提到的其他信息表明，NVIDIA将利用下一代HBM4DRAM为其R100GPU供电。该公司目前为其B100GPU利用最快的HBM3E内存，预计在2025年底内存解决方案大规模量产时，将用HBM4变体更新这些。这将与R100GPU预计进入量产的时间大致相同。HBM4。三星和SKHynix都透露计划在2025年开始开发下一代内存解决方案，最多可容纳16-Hi堆栈。
NVIDIA还将为GR200Superchip模块升级其GraceCPU，该模块将容纳两个R100GPU和一个基于台积电3nm工艺的升级版GraceCPU。目前，GraceCPU基于台积电的5nm工艺节点构建，包含72个内核，GraceSuperchip解决方案上总共包含144个内核。下一代ARMCPU解决方案也已确认被称为Vera，这是一个不错的点缀。