求助各位专家,高频电源MOSFET和IG *** 电源有什么区别
- MOSFETmosfet适用于什么的高频电源：MOSFET适用于低电压应用mosfet适用于什么的高频电源，通常在几伏到数十伏之间。- IG *** mosfet适用于什么的高频电源：IG *** 适用于中高电压应用mosfet适用于什么的高频电源，通常在数十伏到数百伏之间。 效率：- MOSFET：MOSFET在低电压应用下通常具有较高mosfet适用于什么的高频电源的效率，因为它的导通电阻很低。
从结构来说，以N型沟道为例，IG *** 与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IG *** 的衬底为P型。
MOSFET 适用于 小功率的电源比较多， 开关频率较高，一般高于50kHz的场合。IG *** 适用于 大功率的电源比较多。
IG *** 与MOSFET结构上的差别只是IG *** 在VDMOS的背面增加了一个P型层。但就是增加了这么一个P型层，导致IG *** 和MOSFET具有不同的工作机理和特性。
MOSFET和IG *** 是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IG *** 。
mosfet属于什么器件
1、mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。
2、MOSFET是一种半导体器件，全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是现代电子中最常用的一种晶体管。它的作用是在电路中作为开关，控制电流的通断。
3、MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种半导体器件，广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的放大。
详解功率MOS管的每一个参数
耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
这是N沟道功率型场效应管，重要参数：源漏极电压：75V 漏极电流：80A 导通电阻：RDS(ON)=8m (typ.) @ VGS=10V MOS管的种类很多，电压区分，电流区分，功率区分。特性：耐压，过电流，最大功率，内阻。
选择所需符合的安规及电磁兼容 （EMC） 认证。开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。