09N90e管子可用k3878代替?
1、这个并不是开关管，而是场效应管，GE-N-FET锗N沟道，用途：A/宽频带放大，结型(JFET)。可以替换型号：FQA9N90C、2SK3872SK26109N90E。
2、如果一定说要替换，2611，3878， 9N90都可以。只是焊机最大电流工作时容易坏。
3、两者的资料查下来差别不大，电流有些差别，在没有使用到极限条件下可以互换；另外09N90更适宜做功率管，K3878更适宜做开关管。
4、不可以完全替代，芯片的容量不同，做大功率管子，最好不要用3878。FQA11N90C3或者同级别的11N90韩国产可以。敲开来看下你就知道了。如果替代其他的小功率管，那是没问题的。
5、N50E不可以用3878代替。因为23N50E是金属-氧化物-半导体型场效应管，而3878属于三极管电子元件，两者不是一个类型，代替会发生电力故障。
6、K2611特性与K3878是一样的，完全可以代换。k3878是场效应管，代换可选相同类型的11N90代替。
09n90e场效应管能用什么型号的替换
k3878就可以代替，首先要看稳压管是多少伏的，如果是1伏就用k3878，如果是1伏就用2611就可以。
同样N场和900V，电流7A，大于原来的6A。
不可以代换。nikos场效应管属低压大电流N型，tk8p65w场效应管属高压管，N型900V6A，两者不能代换，tk8p65w可代换型号有2SK3532SK3672SK3792SK4002SK401FMV09N90E、KHB9D0NF1等。
场管如果是坏其中的一两个，一定要用同型号，同厂家的去替代。这样场管桥臂工作会比较平衡，大电流不容易坏。如果一定说要替换，2611，3878， 9N90都可以。只是焊机最大电流工作时容易坏。
零七N90亿56156场，效应管如何代替？你可以。买一个场效应管。手册。在这上边都可以有对应的。管子可以相互替代的。
什么是场效应管的夹断电圧和开启电压?
1、场效应管的夹断电压，就是栅极与源极的电压，从场效应管导通后，逐渐降低栅极电压，直到场效应管关断为止，此时栅极与源极的电压就是场效应管的夹断电压。
2、这不是三极管参数，是场效应管的参数 ：On Voltage——开启电压。对增强型MOSFET，当UGS升高到某一值时，场效管导通。bieakdown Voltage——夹断电压。对耗尽型MOSFET，当UGS下降到某一电压值时，场效应管关闭。
3、是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。UT—开启电压。
4、场效应管的开启电压VTN一般约为+2V。场效应管：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
场效应管k3532用什么型号代换
1、k3235参数是500V 15A 150W 推荐用TO-247 的20N60代换安全.其他用irfp450 K2698 K725 k4107 K790 K1050 W15NA50 K331 千万不能用TO-220的电流一样但是功率太小会炸机 换前查驱动电路。
2、你好！富士的MOS管，建议用同根同源的东芝替代，推荐2SK4014，也是900V，6A。TO220SIS全塑封。可以进一步和我沟通。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。
3、K3569 600V10A；K3562 600V6A；K3566N80、7N80可替换K3562，可以用2SK3567，2SK3569，2SK4013，2SK4014，2SK4015代替。
场效应管上的字母和数字代表什么
场效应管芯片上丝印规律，场效应晶体管在电路中的标识通常分为两部分：一部分是电路图形符号，表示场效应晶体管的类型；一部分是字母 +数字，表示该场效应晶体管在电路中的序号及型号。
②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。③、向那5N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：5A//T0-220封装//。
第一种命名 *** 与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
场效应管在电路中常用字母“v”、“VT”加数字表示，如VT1表示编号为1的场效应管。对于国产场效应三极管的型号， 现在有两种命名 *** 。一是与普通三极管相同：第三位宁母J代表结型场效应管，o代表绝缘栅炀效应管。
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。