三星先进技术研究院(SAIT)研究团队宣布，与蔚山国家科学技术研究院(UNIST)和剑桥大学合作发现了一种新材料——非晶氮化硼(a-BN)。
这家韩国巨头声称有可能加速下一代半导体的出现。非晶氮化硼(a-BN)由硼和氮原子组成，具有非晶分子结构。
三星表示，无定形氮化硼来源于白色石墨烯，包括以六边形结构排列的硼和氮原子，而a-BN的分子结构使其区别于白色石墨烯。
非晶氮化硼具有1.78的最佳超低介电常数，较强的电气和机械性能，可用作互连隔离材料，最大限度地减少电气干扰。
该材料也可以在仅400的低温下在晶片级生长.因此，这种新发现的材料有望广泛应用于半导体，如DRAM和NAND解决方案，以及大型服务器的下一代存储解决方案。
三星技术研究所(SAIT)一直在研究和开发二维(2D)材料——具有单原子层的晶体材料。一直致力于石墨烯的研发，在该领域取得了开创性的研究成果。SAIT一直在努力加速材料的商业化。
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