图1:8050和8550三极管的TO-92封装外形和引脚排列图2:8050和8550三极管的SOT-23封装外形和引脚排列图8050和8550三极管在电路应用中经常作为一对晶体管使用，当然也经常作为单管使用。8050是硅NPN三极管。
图1 8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图
图2 8050和8550三极管的SOT-23封装外形和引脚排列图。
8050和8550三极管在电路应用中常用作成对晶体管，当然也常用作单管。8050是硅NPN三极管；8550是由硅制成的PNP晶体管。
8050s8550s8050s8550的参数：
功耗为0.625W(贴片：0.3W)
集电极电流0.5A
集电极-基极电压40V。
集电极-发射极击穿电压为25V。
未给出最小特征频率fT为150MHZ的典型制造商的目录。
根据三极管的后缀数，补丁分为B C D档和L H档。
放大倍数b85-160 c120-200 d160-300 l100-200 h200-350
C8050 C8550参数：
功耗1W
集电极电流1.5A
集电极-基极电压40V。
集电极-发射极击穿电压为25V。
特征频率fT最小为100MHZ，通常为190MHZ。
放大倍数：根据三极管后缀数分为B C D档。
放大倍数b: 85-160c: 120-200d: 160-300。
8050SS 8550SS参数：
耗散功率：1W(TA=25) 2W(TC=25)
集电极电流1.5A
集电极-基极电压40V。
集电极-发射极击穿电压为25V。
最小特征频率fT为100MHZ。
放大倍数：根据三极管的后缀数，分为B C D D3四个等级。
放大倍数b:85-160 c:120-200d:160-300d 3:300-400。
EBC欧洲央行有两种别针。
SS8050 SS8550参数：
耗散功率：1W(TA=25) 2W(TC=25)
集电极电流1.5A
集电极-基极电压40V。
集电极-发射极击穿电压为25V。
最小特征频率fT为100MHZ。
放大倍数：根据三极管的后缀数，分为B、C、d三个等级。
放大倍数b: 85-160c: 120-200d: 160-300。
引脚排列大多是EBC。
UTC的S8050 S8550引脚与EBC一起安排。
8050S 8550S引脚与ECB一起排列。
这种管子很少见。
参数：
功耗1W
集电极电流0.7A
集电极-基极电压30V。
集电极-发射极击穿电压20V
未给出最小特征频率fT为100MHZ的典型制造商目录。
放大倍数：根据三极管后缀数分为C D E档。
C:120-200 D:160-300 E:280-400
NEC的8050
最大集电极电流(a):0.5a；
DC增益：10比60；
功耗：625 mW
最大集电极-发射极电压(VCEO):25；
频率：150兆赫。
其他8050
PE8050硅NPN 30V 1.5A 1.1W
MC8050硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050硅NPN 25V 1.5A英尺=190 *K
3DG8050硅NPN 25V 1.5A英尺=190 *K
2SC8050硅NPN 25V 1.5A英尺=190 *K