说到记忆，对于普通人来说可能没什么可说的。虽然是电脑中不可或缺的硬件，但只要容量足够大，对游戏和日常使用体验的影响感知并不强。
但对于DIY玩家来说，刷新内存频率新高，缩小时序，才是他们一直追求的。
虽然3600MHz可能只是比2400MHz内存高几帧玩游戏，但是这个数字看着很舒服。
决定内存超频的因素主要有三个。一个是CPU的IMC(内存控制器)，主要和IMC的设计有关，和CPU的构成是一样的。同一型号的每个处理器的IMC都会有物理差异。
其次是主板和主板BIOS，这个要看主板厂商的培训；
最后，还要看记忆粒子。今天边肖就带你认识一下主流的内存颗粒，也方便你买到便宜好用的可以超频的内存。
粒子的区别是什么？
为什么记忆粒子之间会有物理差异？老师生产的内存颗粒有很多厂家，应该很多DIY玩家都知道。
这里这是一个简短的列表。目前消费市场90%的内存颗粒都是由来自美韩的Magnum、Hynix、三星三大巨头生产的。
除此之外，南亚、华邦、丽晶等其他厂商也会生产。但是后面这些厂商现在主要生产服务器内存的颗粒，消费市场比较小。
内存是DRAM芯片。每个制造商有不同的研发。d实力不同，芯片设计不同，制造工艺不同，那么生产出来的芯片质量自然也会不同。
即使是同一个厂商生产的内存颗粒也会迭代发展。比如海力士第一代DDR4内存颗粒主要有H5AN8G8NMFR、H5AN4G8NMFR等以MFR结尾的颗粒，民间称之为MFR颗粒。
这些粒子可以稳定工作在2666MHz或者2400MHz的频率，但是几乎没有超频的可能，疯狂的电压可以无法成功应用。
然后Hynix推出了以AFR为结尾的粒子。这一代粒子明显提高了超频性能，可以通过加压超频，频率明显提高。现在迭代发展到第三代CJR粒子。
目前主流的内存颗粒有哪些？
那么目前主流的内存颗粒有哪些呢？让让我们来谈谈子制造商。
海力士
当Hynix作为一个例子，让先说海力士颗粒。
刚才有人说第一代海力士主要的DDR4内存颗粒是MFR颗粒(也叫Hynix M-die)。MFR颗粒在25nm工艺下稳定耐用，但几乎没有超频能力，现在多见于低频DDR4内存。
但是，相比三星在粒子上出色的超频体质，海力士处于劣势。
为了改善这种情况，Hynix从2015年底推出了三种粒子，H5AN8G6NAFR(8Gb)、H5AN8G8NAFR(8Gb)、H5AN4G8NAFR(4Gb)和H5AN4G6NAFR(4Gb)，宣告了AFR粒子(又称Hynix A-die)的到来。
一般来说，使用21nm工艺的AFR颗粒比MFR具有更好的超频能力。3200MHz施加电压不难，但是他们体质不好，高频的时序也很一般。
海力士CJR颗粒是SK海力士C-die颗粒，是继MFR和AFR之后的第三代8gb颗粒。
采用1X nm(通常为18nm)工艺。因为类型h 5an 8g 4 ncjr 和其他带有CJR后缀的粒子一样，它也被称为CJR粒子。
CJR粒子体质好，更重要的是和这几年火起来的锐龙平台非常契合。很容易接入3600MHz，所以成为了DIY玩家，尤其是AMD平台玩家的宠儿。
此外，海力士还推出了新一代JJR(J-die)颗粒，但这种颗粒是为了取代之前的MFR和AFR颗粒，其超频构成略逊于CJR颗粒。
简单总结一下，目前市场上主流的海力士颗粒中，CJR JJR AFR MFR是按体质排名的。当然，也不排除某些体质好的特例可以犯下以下罪行。
猎户座带
早在DDR3时代，三星内存颗粒非常优越，在DIY圈树立了口碑。DD也是
三星-Die是DDR4时代的超频传奇。大部分是20nm工艺，无数的内存超频记录都是他完成的。是DIY玩家心中最好的粒子。
三星-Die非常兼容AMD和Intel，在Intel平台上达到4000MHz以上的频率是基本操作，而且时序还很低，很受玩家欢迎。
而我们常说的B模粒子，其实就是K4A8G085WB、K4A85WB等5WB后缀系列中的BCBP粒子。
这些粒子是专为旗舰内存挑选的，所以更准确的说，体质好的应该叫专选B-die。
其余的普通B-dies体格都不错，但他们没有没有实力挑战超频记录。还有一个吃剩的B模。这些是最糟糕的B-dies。
可惜去年三星宣布停产B-die颗粒，一代人的传奇就此终结。
现在市面上越来越难买到三星B-die颗粒的内存了。一些内存厂商用它做旗舰产品，价格昂贵。
b模颗粒换成三星A模和M模。新粒子增加了密度，单个粒子的容量更大，降低了成本，便于制造单个32GB或更大的内存。
据三星称，A-die 超能力等同于甚至优于B-die ，其容量更大，而M-die 是第二。
不过这么好的颗粒度三星主要用在专业市场和服务器市场，消费市场还没有还没到。在产能上去之前，普通消费者可能接触不到。
另外，目前市面上的三星颗粒中有C-die和E-die，这些体质都比较一般。
总而言之，让讨论一下目前大家能买到的三星内存颗粒体质，特别是B模，普通B模，剩B模，C模 e模，而A模和M模因为市场上没有买也没有测过，就不提了。
镁光灯
之前DIY圈镁粒的存在感比较低，一般稳定耐用，但是超频性能没有三星南
氧化镁B-die是比较早期的DDR4颗粒，也是氧化镁出货量比较大的颗粒。这种粒子稳定耐用，但不不去想怎么超频，买了默认用就行了。
除此之外，Magnum的子公司Spectrek专门处理Magnum检测失败的退化粒子。这些降级的内存粒子将用Spectrek S 大s标志，也就是所谓的大s粒子。
大S粒子都是镁光的退化片，但也有好有坏。
例如，Magnum生产频率为3,200 MHz的内存粒子，不符合要求的降级到2400MHz标准进行销售。那你就说那些达不到3,200 MHz要求的粒子是垃圾粒子；
而一些大S粒子用低端内存筛选标准筛选，成品率极低。这些是垃圾颗粒。
所以大s颗粒混杂，也是很多山寨内存模块喜欢用的内存颗粒。它对于不专业，能很好的读懂粒子模型的DIY玩家来说更好避免。
当然，随着时间的推移，Magnum也像Hynix一样努力，推出了一批容易上高频但不贵的粒子。就是最近大火的以5726MHz的成绩打破DDR4内存超频记录的Magnum E-die。
Magnum E-die是Magnum在17年底生产的粒子，但在三星B-die停产前很少有人玩，直到19年才被拥有神奇力量的DIY玩家发现。
在超频玩家手里，镁E模超频到4000MHz不难，但是电压要高一些，时序很难窄。
虽然有一些瑕疵，但是最近梦龙E-die还是比较受欢迎的，因为目前梦龙E-die主要用在英睿达原厂内存上，最低也就200多块，非常实惠，可以称之为平民法拉利。
不同类型的镁E-die颗粒也有物理差异。目前民间练的最好的是C9BJZ，其次是D9VPP，其他和普通B模没有明显区别。
如果把Magnum的粒子构成按顺序排列，大概是E die E die C9BJZ》E die d 9 VPP，其他E die，B die，大s。
看完每个总结，大家应该能明白是哪个部分了
一般内存颗粒表面都有它的编号，现在内存基本都有马甲了。一般消费者打开马甲看颗粒是不现实的。
这时候比较方便的方法就是通过软件Thaiphoon Burner，可以读取内存中的各种信息。这里如何使用它。
从百度下载软件后，直接打开，点击红框中的阅读，进入信息页面。
这是石泉生产的内存，用的是Hynix海力士颗粒。颗粒编号以CJR结尾，模型也表明它是C-die。显然，我的这个记忆使用了海力士CJR颗粒。
以此类推，这个内存就是镁砂的D9VPP E-die。
这个内存是三星特别挑选的BCPB的B-die。
但是，台风并不完全准确。基于其大数据估算，但也接近。想看的话，把软件更新到最新版本会比较靠谱。
摘要
其实除了少部分发烧的DIY玩家，记忆粒子的体质对大部分人还是没有影响的。大多数人在购买内存和默认打开XMP时都能感觉很舒服。这篇文章也是写给极小的DIY发烧玩家的。
对于这部分发烧友，边肖最后给出了购买建议。
三星 B-die已经停产，现在基本只存在于价格高昂的旗舰内存中。没必要太勉强。梦龙 C9BJZ是很好的替代品。
目前C9BJZ多用于Magnum 英瑞达的s自带内存，在某平台自营的英瑞达ballistix的3000MHz马甲条大概率使用C9BJZ粒子。
目前这个内存也卖断货了，喜欢折腾的玩家可以关注一下。
标签：内存颗粒粒子